SGT MOSFET是对Trench MOS的⼀种改良结构。较传统Trench MOSFET，SGT MOSFET在栅电极下方增加了⼀块多晶硅电极，即屏蔽电极或称耦合电极。屏蔽电极与源电极相连，即实现了屏蔽栅极与漂移区的作⽤，减小了⽶勒电容，器件的开关速度得以加快，同时⼜实现了电荷耦合效应，减小了漂移区临界电场强度，器件的导通电阻得以减小，开关损耗能够更低。
| Part Number | VDS (V) | ID (A) 25℃ | PD(W) 25℃ | RDS(ON)(mΩ) (VGS=10V)（Max） |
Qg(nC)(VGS=10V) （Typ） |
VGS(V) | VGS(th)(V) （Typ） |
Package | 是否符合车规要求 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RMD100N15S-AU | 150 | 60 | 128 | 10 | 25 | 20 | 3.3 | PDFN5*6 | 是 |
| RMD080N10S-AU | 100 | 69 | 72 | 8 | 62 | 20 | 3.3 | PDFN5*6 | 是 |
| RMD040N10S-AU | 100 | 100 | 86 | 4 | 99 | 20 | 3.3 | PDFN5*6 | 是 |
| RMR020N10S-AU | 100 | 188 | 352 | 2 | 186 | 20 | 3.3 | TOLL | 是 |
| RMR015N08S-AU | 80 | 300 | 278 | 1.5 | 218 | 20 | 3.3 | TOLL | 是 |
| RMD090N06SL-AU | 60 | 45 | 30 | 9 | 24 | 20 | 1.8 | PDFN5*6 | 是 |
| RMD060N06SL-AU | 60 | 56 | 33 | 6 | 35 | 20 | 1.8 | PDFN5*6 | 是 |
| RMB024N06SL-AU | 60 | 160 | 125 | 2.4 | 80 | 20 | 1.8 | TO-220 | 是 |
| RMD024N06SL-AU | 60 | 160 | 125 | 2.4 | 80 | 20 | 1.8 | PDFN5*6 | 是 |
| RMR015N04SL-AU | 40 | 160 | 125 | 1.5 | 89 | 20 | 1.6 | TOLL | 是 |